Llamada de resultados del T3 2026 de Atomera Incorporated Common Stock

Hola a todos y bienvenidos a la llamada de actualización de Atomera sobre el tercer trimestre de 2026. Quisiera recordarles que esta llamada y este seminario web están siendo grabados, y que la grabación estará disponible durante un año en el sitio web de Relaciones con Inversionistas de atomera.com. Soy Mike Bishop, de Relaciones con Inversionistas de la compañía. Como en trimestres anteriores, estamos usando Zoom y seguiremos un formato de presentación similar, con los participantes en modo de solo escucha. Comenzaremos con comentarios preparados de Scott Bibaud, presidente y director ejecutivo de Atomera, y Frank Laurencio, director financiero de Atomera. Luego abriremos la llamada para preguntas. Si se conectan por teléfono, pueden seguir una presentación de diapositivas que acompaña nuestros comentarios en la sección Eventos y presentaciones de la página de Relaciones con Inversionistas de nuestro sitio web. Antes de comenzar, quisiera recordarles que durante la llamada de hoy haremos declaraciones prospectivas.

Estas declaraciones prospectivas, ya sea en los comentarios preparados o durante la sesión de preguntas y respuestas, están sujetas a riesgos e incertidumbres inherentes. Estos riesgos e incertidumbres se detallan en la sección Factores de riesgo de nuestras presentaciones ante la Comisión de Bolsa y Valores, específicamente en el informe anual de la compañía en el Formulario 10-K presentado ante la SEC el 24 de febrero de 2026. Salvo que las leyes federales de valores exijan lo contrario, Atomera rechaza toda obligación de actualizar o revisar las declaraciones prospectivas aquí incluidas o presentadas en otros lugares para reflejar cambios en las expectativas con respecto a esos eventos, condiciones y circunstancias. Además, tengan en cuenta que durante esta llamada hablaremos de medidas financieras no conforme a los principios contables generalmente aceptados (GAAP), según la definición del Reglamento G de la SEC. Las conciliaciones de estas medidas financieras no conforme a los principios contables generalmente aceptados (GAAP) con las medidas GAAP más directamente comparables se incluyen en el comunicado de prensa de hoy, publicado en nuestro sitio web.

Dicho esto, quisiera ceder la palabra a nuestro presidente y director ejecutivo, Scott Bibaud. Adelante, Scott. Gracias, Mike, y buenas tardes a todos.

Al mirar atrás al T3, lo que más destaca es cuántos esfuerzos de larga duración llegaron a un punto decisivo en los últimos 90 días. Alcanzamos un objetivo de Gate-All-Around con el que nos habíamos comprometido públicamente en febrero. Ampliamos MST a una parte del mercado de memoria en la que nunca habíamos participado y convertimos nuestro avance en GaN sobre silicio en una relación de fabricación con un proveedor de obleas de primer nivel mundial. Permítanme abordar esos temas en orden. Primero, Gate-All-Around; luego, memoria; después, nuestra cartera de energía y RF; y cerraré con GaN. Gate-All-Around es, sencillamente, el problema de fabricación más difícil que enfrenta hoy la industria. Fabricar transistores con características miles de veces más delgadas que un cabello humano y mantener los átomos dopantes individuales exactamente donde deben estar durante todo el presupuesto térmico de las etapas posteriores es precisamente el tipo de problema que MST fue creado para resolver.

Solo cuatro empresas en el mundo están desarrollando Gate-All-Around. En febrero, fijé un objetivo claro para el año: participar activamente con los líderes que impulsan esta transición. Hoy puedo decirles que hemos cumplido ese objetivo. Ahora colaboramos con tres de los cuatro clientes de Gate-All-Around y mantenemos un diálogo activo con el cuarto. Si nuestros esfuerzos con estos actores dan fruto, MST se convertirá en un componente estándar de todos los futuros nodos lógicos de vanguardia. Aunque cada una de estas colaboraciones se encuentra en una fase distinta, desde las primeras etapas de evaluación hasta la realización de demostraciones de desarrollo en silicio de clientes, en conjunto posicionan a MST como una solución para uno de los mayores desafíos que enfrentan los equipos que desarrollan nodos Gate-All-Around y la generación CFET que les seguirá.

Los clientes de nodos avanzados avanzan con cautela y exigen pruebas concretas una tras otra antes de incorporar cualquier material nuevo a la producción, por lo que cada etapa que superamos tiene un peso importante. La memoria es donde veo que la curva acelera su ascenso más rápidamente. La presión sobre los fabricantes de memoria para obtener más capacidad y rendimiento de cada oblea rara vez ha sido mayor y, algo importante, cuentan tanto con la urgencia como con los recursos para calificar nuevos enfoques. En el T3, ampliamos nuestro alcance a fabricantes de memoria de ambos segmentos del mercado: DRAM de próxima generación y memoria flash NAND. Permítanme detenerme un momento en la DRAM, porque muestra cómo MST crea valor para dos requisitos distintos de la DRAM de próxima generación. Primero, la IA ha impulsado la demanda de memoria de alto ancho de banda, que utiliza lógica de vanguardia como oblea base. Estamos aprovechando nuestros conocimientos sobre Gate-All-Around y aplicándolos para ayudar a lograr mejoras similares en estas obleas base.

Segundo, durante décadas, la industria redujo el tamaño de las celdas DRAM mediante una litografía más fina, pero esa palanca está prácticamente agotada. El siguiente paso para algunos fabricantes de memoria es una celda más densa que la industria denomina 4F squared, que coloca verticalmente el transistor de acceso, con un canal vertical, y ubica el capacitor de almacenamiento encima, lo que reduce el área de la celda aproximadamente un tercio sin cambiar la litografía. El desafío consiste en fabricar un buen transistor vertical, y ahí está la oportunidad para Atomera. Estamos aprovechando nuestros conocimientos sobre el bloqueo del fósforo, desarrollados en Gate-All-Around, para controlar con precisión los dopantes y evitar que se desplacen a lugares donde no deberían estar. Los transistores verticales basados en MST pueden alcanzar los objetivos de corriente de conducción y fuga que exige 4F squared, al tiempo que eliminan etapas costosas del proceso. En otras palabras, una vía más económica y más fácil de fabricar para llegar a la próxima generación de DRAM.

Expusimos esto en un artículo revisado por pares presentado en SISPAD en septiembre, la principal conferencia de la industria sobre simulación de procesos y dispositivos, y la respuesta a nuestro artículo demostró que estábamos abordando un problema importante que preocupa a la industria. Más importante aún, las visitas recientes a los principales fabricantes de memoria confirmaron su interés en una solución como esta. NAND es la historia más reciente. Como mencioné el trimestre pasado, la IA está impulsando la demanda de SSD de mayor densidad, lo que significa que el número de capas en un dispositivo 3D NAND debe seguir aumentando. Pero a medida que aumenta el número de capas, también aumenta la lógica necesaria para controlarlas, y se proyecta que el chip CMOS crezca más rápido que el chip de la matriz de memoria ubicado encima. Por eso, dado que la oblea CMOS está unida a la matriz, una diferencia de tamaño entre ambas puede convertirse en un problema costoso.

MST ayuda a resolverlo al permitir longitudes de compuerta más cortas, de modo que ambos chips puedan dimensionarse para que coincidan, lo que permite soluciones mucho más rentables. Estas colaboraciones aún están en una etapa inicial, pero son alentadoras, tanto por el problema de los clientes que estamos abordando como por los datos reales de silicio que respaldan nuestro enfoque. Como pueden imaginar, el tamaño del mercado es enorme. En el resto de la cartera de proyectos, el impulso se mantiene estable. Nuestro importante programa en curso con un fabricante de productos analógicos y de potencia avanza según lo previsto. Los dos equipos de ingeniería trabajan en estrecha coordinación y ejecutan corridas de obleas con el objetivo de incluir MST en el próximo nodo de los dispositivos del cliente. En otras áreas de potencia y RF SOI, estamos impulsando varios clientes nuevos y aplicando MST a dispositivos como los FET de zanja y los HBT, cuya eficiencia y comportamiento de alta frecuencia cobran cada día más importancia a medida que los centros de datos de IA transforman la forma en que se suministra la energía.

A nivel interno, sigue avanzando nuestro trabajo en un proceso RF SOI de alto rendimiento, en el que es fundamental asegurar la cadena de suministro adecuada de sustratos; además, debería poder aplicarse también a otras aplicaciones. Esto me lleva al GaN sobre silicio, que fue uno de los aspectos más destacados de este trimestre. Comencemos por el tamaño de la oportunidad. A medida que la RF pasa a su próxima generación, los diseñadores recurren cada vez más al GaN por su potencia y ancho de banda, incluso para front-ends totalmente integrados que incorporan el amplificador de potencia. El mercado de RF GaN ronda actualmente los $1.2 mil millones y crece a tasas de dos dígitos, con miras a alcanzar aproximadamente $2 mil millones en unos pocos años. Además, es probable que este avance amplíe el mercado total direccionable (TAM) al abrir nuevas aplicaciones que se integran con dispositivos de silicio en obleas de 200 y 300 milímetros.

Como recordatorio, el avance que logramos a principios de este año acercó el GaN sobre silicio habilitado por MST al RF SOI avanzado en las dos métricas que más importan a los diseñadores: pérdida y linealidad. Pero sobre una oblea de silicio de bajo costo, en lugar de un sustrato especializado costoso, que es lo que normalmente se requiere para lograr este nivel de desempeño. Si la actividad de diseño empieza a orientarse hacia el GaN sobre silicio, estaríamos a la vanguardia de un mercado grande y en rápida expansión. Este trimestre anunciamos una novedad: una vía hacia la fabricación mediante un acuerdo de desarrollo conjunto con IQE, anunciado la semana pasada. IQE es uno de los principales fabricantes del mundo de epitaxia de semiconductores compuestos, el preciso proceso de crecimiento de cristales que se encuentra debajo de cada oblea de GaN. En virtud del acuerdo de desarrollo conjunto, la epitaxia de GaN de IQE, cultivada sobre sustratos de silicio con MST, se optimizará para identificar las mejores obleas de RF GaN sobre silicio posibles en términos de bajo costo y alto desempeño.

Este trabajo, que ya comenzó, nos permitirá mejorar el desempeño al mismo tiempo que resolvemos el aspecto de fabricación de la ecuación; esto significa que acortamos el ciclo de calificación que normalmente se requiere antes de la producción. Un acuerdo de desarrollo conjunto como este es lo que nos lleva de un resultado de laboratorio a un producto. IQE nos ofrece una vía creíble hacia la producción de alto volumen y una forma de poner obleas de muestra reales en manos de diseñadores de fundiciones, IDM y empresas fabless. Comenzamos con RF, pero el acuerdo también abarca el GaN para aplicaciones de potencia, lo que amplía aún más la oportunidad. En resumen, IQE es un catalizador para llevar más rápido al mercado el GaN sobre silicio con MST, y creemos que puede convertirse en un productor importante de obleas habilitadas por MST. Atomera ofrece MST en dos formas. Una es una deposición de capa completa que los clientes pueden comprar y utilizar como oblea inicial; la otra se deposita dentro del transistor de un cliente.

En los últimos años, hemos hecho hincapié en las ofertas de obleas iniciales porque los clientes pueden probarlas e integrarlas con mayor facilidad y, por lo tanto, representan una vía más rápida hacia los ingresos para Atomera. Hace un año teníamos dos aplicaciones para esas obleas iniciales y ahora tenemos seis, incluidas RF SOI, GaN sobre silicio, aplicaciones de memoria y otras. Por eso, hoy presentamos la marca Prima para esos productos. Nuestra oferta más tradicional, en la que MST se integra de forma selectiva en la parte central de un dispositivo semiconductor, ahora se conocerá como Selecta. Aplicaciones como los dispositivos de potencia Gate-All-Around y los HBT utilizan un proceso Selecta. Presentamos estos nombres de marca para destacar la creciente importancia de las soluciones de obleas iniciales dentro de la cartera de productos de Atomera. Encontrarán mucha más información sobre Prima, Selecta y cómo MST mejora los transistores en nuestro sitio web, que renovamos y que debería estar disponible mañana.

Allí se explica con mucha más claridad la propuesta de MST en lógica, memoria, RF y potencia, y los invito a dedicar unos minutos a explorar nuestras ofertas. En conjunto, cumplimos el objetivo de febrero para Gate-All-Around al llegar a tres de los cuatro clientes de ese mercado. Ampliamos la oportunidad en memoria para abarcar tanto DRAM como NAND y lanzamos MST para 4F cuadrado. Mantuvimos los programas de potencia y RF según lo previsto y convertimos nuestro avance en GaN en una futura alianza de producción con IQE. Sin duda, hay mucho por lo que entusiasmarse en Atomera en este momento. Dicho esto, le cedo la palabra a Frank para que revise nuestros resultados financieros.