램 리서치 27년 1분기 어닝콜

말씀해 주십시오. 감사합니다. 여러분, 안녕하십니까.

램리서치 분기 실적 발표 컨퍼런스콜에 오신 것을 환영합니다. 오늘 저와 함께하는 분들은 팀 아처 사장 겸 최고경영자와 더그 베팅어 수석부사장 겸 최고재무책임자입니다. 오늘 통화에서는 사업 환경에 대한 개요를 말씀드리고, 2026년 9월 분기 재무 실적과 2026년 12월 분기 전망을 검토하겠습니다. 재무 실적을 상세히 담은 보도자료는 오후 1시 조금 지나 배포되었습니다. 태평양 시간 기준입니다. 보도자료와 오늘 통화에 함께 제공되는 프레젠테이션 자료는 회사 웹사이트의 투자자 정보 섹션에서도 확인하실 수 있습니다. 오늘 발표와 질의응답에는 당사의 현재 신념, 기대, 가정에 근거한 미래예측진술이 포함되어 있습니다. 이러한 진술에는 위험과 불확실성이 따르며, 실제 결과는 해당 진술에 명시되거나 암시된 내용과 크게 다를 수 있습니다.

실제 결과가 크게 달라질 수 있는 요인에 대한 논의는 가장 최근에 제출한 10-K 및 10-Q 양식의 정기 보고서와 이후 증권거래위원회에 제출한 자료의 위험 요인, 그리고 함께 제공되는 프레젠테이션 자료의 주의 문구를 참조해 주십시오. 달리 명시되지 않는 한 오늘 재무 실적에 관한 논의는 비일반회계기준 재무 기준으로 진행하겠습니다. 일반회계기준과 비일반회계기준 실적 간의 상세한 조정 내역은 함께 제공되는 프레젠테이션 자료에서 확인하실 수 있습니다. 이번 통화는 태평양 시간 기준 오후 3시까지 진행될 예정입니다. 태평양 시간 기준입니다. 오늘 오후 늦게 당사 웹사이트에서 이번 통화의 다시 듣기 서비스를 이용하실 수 있습니다. 그럼 팀에게 통화를 넘기겠습니다.

감사합니다, 램. 오늘 함께해 주신 모든 분께도 감사드립니다. 램은 9월 분기에 다시 한번 매출과 수익성에서 사상 최고치를 달성했습니다. 매출총이익률, 영업이익률, 주당순이익이 모두 신기록을 세웠으며, 영업이익률은 처음으로 40%를 넘어섰습니다. 올 한 해 동안의 실적은 제품 포트폴리오 전반의 탄탄한 경쟁력과 운영 실행에 대한 끊임없는 집중을 보여줍니다. AI가 전례 없는 반도체 수요와 디바이스 복잡성의 증가를 계속 이끌고 있습니다. 12월 분기 가이던스의 중간값을 반영하면, 2026년 연간 시스템 매출은 전년 대비 40%를 훨씬 웃도는 성장률을 기록할 것으로 예상합니다. 모든 디바이스 유형과 첨단 패키징 솔루션에서 증착 및 식각 공정의 비중이 높아지면서 램의 성장 기회가 계속 확대되고 있습니다. 지난 몇 년간 디바이스 복잡성의 증가와 3D 스케일링 확대 추세로 인해, WFE 대비 당사가 공략 가능한 시장(SAM)의 비중이 4%포인트 확대됐습니다.

이처럼 확대되는 SAM을 겨냥한 제품의 점유율 상승을 고려할 때, 2026년은 램이 WFE 성장률을 웃도는 실적을 3년 연속 기록하는 해가 될 것으로 예상합니다. 2026년 WFE 시장 규모는 1,500억 달러 중반대로 예상합니다. 2027년 WFE 시장에 대한 당사의 잠정 전망은 2,000억 달러를 웃도는 투자 규모이며, 성장률은 DRAM이 가장 높고 그 뒤를 첨단 파운드리 로직과 NAND가 이을 것으로 예상합니다. 2027년에 접어들면서 클린룸 공간의 가용성 부족과 일부 부품의 공급망 제약으로 인해 반도체 제조업체와 장비 업체가 최종 수요를 온전히 충족하는 데 계속 한계가 있을 것으로 보입니다. 당사는 공급업체와 적극 협력해 이들의 생산능력 증설 계획을 앞당기고 있으며, 앞으로 예상되는 강한 수요에 대응하는 데 램이 유리한 위치에 있다고 확신합니다. WFE 성장 전망의 기반에는 기업과 소비자 전반에서 AI가 계속 빠르게 도입되고 있다는 점이 있습니다.

최근 18개월 동안 주간 평균 토큰 사용량이 약 250배 증가한 것으로 보고됐습니다. AI가 점차 자율형 에이전트 워크플로로 발전하면서 컴퓨팅, 메모리, 스토리지 솔루션에 대한 수요가 계속 확대되고 있습니다. 예를 들어 NAND에서는 AI의 성능과 경제성이 여러 단계의 스토리지 수요를 이끌고 있으며, 각 단계는 서로 다른 워크로드에 최적화돼 있습니다. 현재 QLC는 빠르게 증가하는 AI 데이터 용량을 경제적으로 저장할 수 있는 솔루션을 제공합니다. TLC 스토리지는 컨텍스트 메모리와 KV 캐시 워크로드를 위한 고대역폭 계층으로 사용됩니다. SLC급 NAND는 에이전트형 AI에서 지연 시간이 짧고 빠른 액세스를 제공하는 솔루션으로 부상하고 있습니다. SLC 스토리지 계층의 도입은 NAND 웨이퍼 생산능력 수요를 크게 늘리는 요인이 될 수 있다고 봅니다. TLC에서 SLC급 디바이스로 전환하면 디바이스당 비트 수가 약 3분의 1로 줄어듭니다.

다시 말해, NAND 비트 구성에서 SLC급 디바이스 비중이 1%포인트 높아질 때마다 동일한 비트 수요를 충족하기 위해 설치된 웨이퍼 생산능력이 약 2% 더 필요합니다. 비트 수요의 추가 성장은 웨이퍼 생산능력 수요를 더욱 증폭시킬 것입니다. 세 가지 스토리지 계층 모두 성장하면서 NAND의 가치와 전략적 중요성이 높아질 것으로 예상합니다. 저희는 이러한 변곡점에서 램이 가장 큰 수혜를 볼 수 있는 위치에 있다고 생각합니다. 램은 업계 최대 규모의 NAND 시스템 설치 기반과 핵심 증착 및 식각 공정 전반을 아우르는 포괄적인 제품 포트폴리오를 보유하고 있습니다. 설치 기반 업그레이드나 생산능력 확충을 통해 충족되든, NAND 비트 수요가 증가하면 램의 장비와 기술에 대한 추가 수요가 발생할 것입니다. 파운드리 로직과 DRAM에서도 AI가 요구하는 새로운 성능 요건을 충족하기 위해 디바이스 수준에서 이와 유사한 진화가 나타나고 있습니다.

첨단 패터닝과 후면 전력 공급부터 차세대 패키징에 이르기까지, 향후 몇 년간 램이 공략할 수 있는 수십억 달러 규모의 잠재적 SAM 확대와 점유율 상승 기회가 있다고 보고 있습니다. 파운드리 로직 및 DRAM 제품에 대한 선별적 투자의 효과가 2026년 실적에 나타나고 있습니다. 올해 들어 이 두 시장 부문이 램의 시스템 매출 성장분 중 약 80%를 차지했습니다. 파운드리 로직과 DRAM의 첨단 패터닝 요건에 집중하는 것이 좋은 사례입니다. 각 기술 노드에서 EUV 패턴 충실도 및 결함 관련 요건이 더욱 엄격해짐에 따라, 램의 Akara 식각 장비와 도체 식각 장비, Aether 건식 레지스트 장비가 함께 사용되어 전례 없는 스케일링 역량을 제공하고 있습니다. 중요한 점은 고객들이 팹 생산량 극대화를 최우선 과제로 삼고 있는 가운데, 이들 장비가 DRAM 스케일링의 생산성 향상에도 기여하고 있다는 것입니다.

여러 칩 제조업체가 매우 높은 종횡비의 구조를 탁월한 프로파일 제어로 식각할 수 있는 Akara를 도입하고 있습니다. 동시에 웨이퍼 간 및 로트 간 변동성을 최대 50% 낮추고, 팹 면적당 웨이퍼 생산량을 최대 50% 높일 수 있습니다. 마찬가지로 램의 Aether 건식 레지스트 솔루션은 High-NA EUV에서 최고 수준의 패턴 밀도와 충실도를 구현하면서 10나노미터 미만의 해상도를 입증했습니다. 이 솔루션은 노광량을 10% 낮추면서도 이러한 결과를 달성해 스캐너 생산성을 높이고 웨이퍼당 패터닝 비용을 절감합니다. Aether 솔루션은 이미 Low-NA EUV를 사용하는 HBM 양산에서 도입이 확대되고 있으며, 향후 DRAM과 파운드리 로직 고객 모두에서 추가적인 적용 기회가 있을 것으로 보고 있습니다. 이에 따라 10년 말까지 Aether 관련 누적 매출이 약 25억 달러에 이를 것으로 예상하며, 이는 기존 전망보다 약 10억 달러 높은 수준입니다.

후면 전력 공급은 증착과 식각 분야에서 램의 강점이 뚜렷하게 드러나는 또 다른 사례입니다. 전력 배선과 신호 배선을 분리하면 후면 금속 배선을 두껍게 형성할 수 있어 저항을 낮추고 전력 효율을 높일 수 있습니다. 이 기술을 적용하면 공정 복잡성이 높아져 증착, 도금, 식각 공정이 추가로 필요합니다. 고객들이 2나노미터 이하 공정에서 후면 전력 공급 기술을 확대 적용함에 따라, 양산 검증을 마친 램의 Vector, Sabre, Flex 장비가 이러한 요구에 적합합니다. Vector는 고유한 쿼드 아키텍처를 바탕으로 업계 최고 수준의 설치 면적당 생산성과 웨이퍼 간 반복 정밀도를 제공합니다. Sabre는 높은 생산성과 웨이퍼상에서의 탁월한 성능을 바탕으로 전기도금 분야에서 세계적인 업계 기준으로 자리 잡았습니다. Flex는 차별화된 소용량 챔버 설계와 제한된 플라즈마를 활용해 결함을 낮게 유지하면서 높은 처리량의 유전체 식각을 제공합니다. 웨이퍼 후면과 전면 사이의 전기적 연결을 더욱 효율적으로 구현하기 위해 몰리브덴과 같은 새로운 소재도 도입되고 있습니다.

이 새로운 응용 분야에서 당사의 Halo 장비는 단일 챔버 내에서 플라즈마 공정과 열 공정을 모두 구현하고 업계 최고 수준의 생산성을 제공해 채택이 확대되고 있습니다. 확대되고 있는 후면 전력 공급 기술 시장 기회에서 점유율을 높이고 있으며, 최근 주요 고객사에서 4개 제품 모두에 대해 기준 장비로 선정되는 성과를 거뒀습니다. 첨단 패키징 분야에서는 시장을 선도하는 당사의 Syndion 제품이 HBM TSV 응용 분야에서 첨단 로직 고객의 선택을 받고 있습니다. Syndion의 차별화된 하드웨어 설계는 공정을 신속하게 전환할 수 있게 해 TSV 프로파일의 높은 균일성, 매끄러운 측벽, 높은 양산성을 구현합니다. 최근 여러 고객사에서 4건의 신규 공급 기회를 확보했습니다. 당사의 Striker ALD 제품도 우수한 단차 피복성과 낮은 식각률을 갖춘 박막을 제공해 TSV 라이너 공정에서 여러 건의 수주를 거뒀습니다. TSV 응용 분야 외에도 두꺼운 막 증착에서 결함을 줄인 덕분에 고접착 본딩막과 다이 간 갭필 응용 분야에서 Vector와 VECTOR TEOS 3D의 추가 수주를 확보했습니다.

높은 증착 및 식각 강도를 요구하는 첨단 패키징은 램의 주요 성장 동력으로 자리 잡았습니다. 차세대 인공지능 및 고성능 컴퓨팅 기기의 제조 규모를 확대하기 위해 고객들은 패널 레벨 패키징에 점점 더 주목하고 있습니다. 당사의 패널 레벨 패키징 포트폴리오는 팬아웃 패키징, 글라스 코어 기판, 그리고 새롭게 부상하는 기판 및 인터포저 구조 전반에서 계속 탄력을 얻고 있습니다. 현재까지 전 세계 20곳이 넘는 고객사에 300×300밀리미터부터 600×600밀리미터까지 다양한 크기의 패널 도금 시스템을 출하했습니다. 고객들은 범프, 필러, 재배선층 전반에 걸쳐 차별화된 공면도와 도금 균일성을 제공하는 Kallisto 플랫폼을 계속 선택하고 있습니다. Kallisto는 새롭게 부상하는 유리 관통 비아 응용 분야를 통해 글라스 코어 기판 채택이 늘어나는 데 따른 수혜를 입을 수 있는 유리한 위치에 있습니다.

고객과의 협력, 설치 기반 확대, 기술 리더십을 바탕으로 패널 레벨 패키징 시장에서 현재 웨이퍼 레벨 패키징 시장에서 확보한 확고한 입지를 넘어서는 점유율을 달성할 것으로 예상합니다. 마지막으로 CSBG를 말씀드리면, 2026년 연말에는 견조한 성장세를 이어갈 것으로 예상되며 연간 매출은 전년 대비 30% 이상 증가할 전망입니다. 이는 지난 애널리스트 데이에서 제시한 장기 목표 성장률의 두 배를 웃도는 수준입니다. 높은 팹 가동률과 고객들의 지속적인 설치 기반 효율성 제고 노력에 힘입어 업그레이드, 예비 부품, 서비스 전반에서 폭넓은 성장이 나타나고 있습니다. 장비 인텔리전스와 덱스트로 협동로봇을 통해 제공하는 가치는 최근 여러 메모리 제조업체와 성과 기반 서비스 계약을 체결하는 데 기여했습니다. CSBG의 성장세는 2027년에도 이어져 매출이 전년 대비 15% 이상 증가할 것으로 예상합니다.