아토메라 26년 2분기 어닝콜

여러분, 안녕하십니까. 아토메라의 2026년 2분기 업데이트 콜에 오신 것을 환영합니다. 이번 콜과 웨비나는 녹음되고 있으며, 다시보기는 아토메라 IR 웹사이트에서 1년간 제공될 예정임을 안내드립니다. 저는 회사의 IR(투자자 관계)을 담당하고 있는 마이크 비숍입니다. 이전 분기와 마찬가지로 줌(Zoom)을 사용하며, 참가자 여러분은 청취 전용 모드로 전통적인 발표 형식에 따라 진행하겠습니다. 먼저 아토메라의 사장 겸 CEO인 스콧 비보와 CFO인 프랭크 로렌시오의 사전 준비 발언으로 시작하겠습니다. 이후 질의응답 시간을 갖겠습니다. 전화로 참여하고 계신 경우, 당사 웹사이트의 IR 페이지 내 ‘이벤트 및 프레젠테이션(Events and Presentations)’ 섹션에서 발언과 함께 보실 수 있는 슬라이드 자료를 확인하실 수 있습니다. 시작에 앞서, 오늘 콜에서는 미래예측진술을 할 예정임을 다시 한번 안내드립니다.

이러한 미래예측진술은 사전 준비 발언이든 질의응답 중 발언이든 모두 위험과 불확실성의 영향을 받을 수 있습니다. 해당 위험과 불확실성은 미 증권거래위원회(SEC)에 제출한 당사 공시의 ‘위험요인(Risk Factor)’ 섹션에 자세히 기재되어 있으며, 특히 2026년 2월 24일 SEC에 제출한 Form 10-K 연차보고서에 포함되어 있습니다. 연방 증권법에서 달리 요구하는 경우를 제외하고, 아토메라는 여기 또는 다른 곳에 포함된 이러한 미래예측진술을 해당 사건, 조건 및 상황과 관련한 기대의 변화에 맞춰 업데이트하거나 수정할 의무를 부담하지 않습니다. 또한 오늘 콜에서는 SEC 규정 G(Regulation G)에서 정의하는 비일반회계기준(Non-GAAP) 재무지표를 논의할 예정임을 알려드립니다. 해당 비일반회계기준 재무지표를 가장 직접적으로 비교 가능한 일반회계기준(GAAP) 지표로 조정한 내역은 오늘 보도자료에 포함되어 있으며, 당사 웹사이트에 게시되어 있습니다.

그럼 이제 사장 겸 CEO인 스콧 비보에게 마이크를 넘기겠습니다. 스콧, 시작하시죠. 마이크, 감사합니다.

여러분, 안녕하십니까. 2분기는 실질적인 모멘텀이 있었던 분기였습니다. 당사의 각 타깃 시장 전반에서 고객 협업이 진전되었습니다. 새로운 시장이 형성되고 있다는 긍정적인 신호가 있었고, 이번에도 기술적 돌파구를 실제 상업적 파이프라인의 초기 단계로 전환하는 데 성공했습니다. 오늘은 게이트-올-어라운드(Gate-All-Around), 보다 광범위한 고객 활동, 메모리 분야에서 점점 커지고 있는 수요 견인을 짚어본 뒤, GaN에 대해서는 시간을 충분히 할애해 말씀드리겠습니다. 제 판단으로는, 아토메라에 있어 상당히 새로운 시장이 열리기 시작하는 모습을 목도하고 있을 수도 있습니다. 먼저 게이트-올-어라운드부터 말씀드리겠습니다. 이제는 여러분 모두 이 기술 전환이 왜 그토록 중요한지 알고 계실 테니, 바로 핵심 소식부터 말씀드리겠습니다.

저희는 이 분야의 네 개 업체 중 두 곳과 계속 협업하고 있습니다. 이번 분기에는 현재 진행 중인 게이트-올-어라운드 고객 두 곳 중 한 곳과 중요한 이정표를 통과하면서, 해당 고객의 고유한 실리콘 구조에 대해 추가 작업을 진행할 수 있는 길이 열렸습니다. 이들 고객은 일반적으로 새로운 소재를 공정 플로우에 도입하기 전에 일련의 데모를 요구합니다. 이 단계를 통과하는 것은 단순한 형식 절차가 아니라 의미 있는 진전입니다. 이는 해당 고객이 저희에게 제기했던 제조 가능성(manufacturability) 관련 질문에 대해 직접적인 답을 제공합니다. 또한 저희는 목표로 하는 GAA 고객 4곳 중 나머지 두 곳과도 활발히 논의를 이어가고 있습니다. 저희 전략적 파트너는 계속해서 첨단 테스트 인프라와 생태계 내 신뢰도(credibility)를 모두 제공해, 저희가 고객과의 접점을 만드는 데 도움을 주고 그 관계를 유지하는 데도 기여하고 있습니다. 메모리 분야는 관심이 분명히 가속화되고 있는 영역입니다.

대형 메모리 제조사들은 용량과 성능을 모두 끌어올려야 한다는 실질적인 압박을 받고 있습니다. 그리고 이를 달성하는 데 도움이 될 수 있는 선택지를 평가할 예산도 갖추고 있습니다. 최근까지는 평면(플래너) 주변회로(periphery) 개선에 대한 저희의 가치 제안에 초점을 맞춘 DRAM 고객들의 관심이 상당히 컸습니다. 그런데 갑자기 고객들의 방향이 바뀌었습니다. 그 근본적인 요인은 AI 수요가 가속화되면서 DRAM 제조사들이 4F²와 3D DRAM을 포함한 수직 스케일링 시대로, 그리고 기타 첨단 아키텍처로 이동하게 됐다는 점입니다. 다만 저희는 고객들과의 상호작용을 통해, 평면 주변회로에 대한 저희 가치 제안의 기술적 타당성이 강하다는 점을 확신할 수 있습니다. 오늘 저희는 여러 고객과의 논의를 통해 검증된, 4F² DRAM을 위한 새로운 가치 제안을 구축했습니다.

저희는 MST 시작 웨이퍼(starting wafer)가 차세대 DRAM 제조 공정을 활용해 수직형 DRAM 액세스 트랜지스터를 구현할 수 있음을 보여드렸으며, 이 공정은 현재 DRAM 업계 대다수가 추구하고 있는 방식보다 훨씬 저렴합니다. 저희의 새로운 개념은 4F²에서의 근본적인 소자 과제를 해결하는 동시에, MST의 정밀한 도핑 프로파일 제어 역량을 활용해 큰 비용 절감 효과를 제공합니다. 또한 고객 미팅과 별도로, 구현 가능성을 입증하는 TCAD 시뮬레이션 연구도 완료했습니다. 그 결과는 9월 IEEE 학회에서 발표할 수 있도록 채택되었습니다. 전통적으로 NAND 플래시 메모리의 주변 회로(periphery) 기술은, NAND 메모리 셀 자체가 수년 전부터 3D 구조로 전환했음에도 불구하고, DRAM에 비해 상당히 뒤처져 왔습니다. 아토메라의 역사에서 저희는 플래시 메모리에 대해 의미 있는 가치 제안(value proposition)을 확립한 적이 없었습니다.

하지만 최근 몇 주 사이 주요 NAND 공급업체로부터, AI가 이제 NAND를 한계까지 밀어붙이면서 MST가 제공할 수 있는 평면형 주변 회로 성능 향상이 필요해졌다는 내용을 듣게 되면서 상황이 바뀌고 있을 수 있습니다. 저희는 지난 5년간 DRAM을 대상으로 이 가치 제안을 완성해 왔습니다. 이제 이는 NAND에도 적용할 수 있습니다. NAND 플래시 제조사들이 이를 채택할 경우, MST의 TAM은 두 배 이상으로 확대되며, 이는 분명 상업적으로 매우 중요한 의미를 갖습니다. 이어서 나머지 파이프라인을 말씀드리면, 대형 IDM 고객사 프로그램은 계획대로 계속 진척되고 있습니다. 현재는 다음 실험 배치가 진행되는 동시에, 새로운 소자 테스트 데이터도 들어오고 있는 단계입니다. 개발 작업은 빠르게 진행되고 있습니다. 저희 팀들은 긴밀하게 협업하고 있습니다.

또한 전력(power) 분야에서 다른 기업들과도 협업 및 프로젝트를 진행하고 있으며, 트렌치 FET와 HBT 개발도 계속 진전되고 있는데, 이는 AI 데이터센터에서 새롭게 부각되는 효율성과 고주파 수요를 정면으로 겨냥하고 있습니다. RFSOI에서는 두 번째 JDA 파트너와 함께 웨이퍼 공정이 여전히 진행 중이며, 다른 고객사 실리콘에서 저희가 입증한 긍정적인 결과를 그들이 재현할 것이라고 계속 확신하고 있습니다. 내부적으로는 기판 공급망이 핵심인 RFSOI의 고처리량 제조 공정에 대한 작업도 순조롭게 진행 중이며, 이는 여러 다른 응용 분야에도 적용될 수 있습니다. RF 제조사들은 스위치와 LNA 성능을 위해 오랫동안 RFSOI 기판의 특성에 의존해 왔지만, 전력 증폭기까지 포함하는 완전 통합형 RF 프런트엔드 가능성 등 상당한 성능상의 이점 때문에 갈륨 나이트라이드(GaN)를 활용한 차세대 설계에도 관심을 보이고 있습니다.

안타깝게도 실리콘 기판의 기생 성분(parasitics) 때문에, GaN RF 개발은 매우 비싼 특수 시작 웨이퍼인 실리콘 카바이드 위의 GaN(GaN-on-silicon carbide)으로 대부분 제한되어 왔습니다. 이 지점에서 그들이 선호하는 시작 소재인 실리콘 위의 GaN(GaN-on-silicon)과 관련된 흥미로운 소식을 말씀드리겠습니다. 5월 업데이트 콜에서 저희는 MST가 GaN-on-silicon에서의 기생 채널 문제를 어떻게 해결하는 데 도움이 될 수 있는지 공유했지만, MST의 효과를 완전히 보여줄 수 있는 RF 테스트 결과는 아직 확보하지 못했었습니다. 그달 말에 마침내 성능 데이터가 도착했고, 저희는 기술적 돌파구를 발표했습니다. MST는 RF 소자용 GaN-on-silicon을 상업적으로 매력적인 선택지로 만들어 줍니다. 저희 특성 분석 파트너인 인포시스(Infosys)가 MST 적용을 가능하게 하는 GaN-on-silicon에 대한 RF 데이터를 전달해 왔는데, 솔직히 말해 매우 뛰어납니다. 이 소자들은 사실상 손실이 없는 RF 성능과 뛰어난 고조파 왜곡 성능을 동시에 제공하며, 그 결과 탁월한 선형성을 구현합니다.

벤치마크 구동 레벨에서 선형성은 GaN-on-silicon 기준(reference) 대비 대략 1,000배 더 우수하며, 이러한 개선 폭은 전 출력 스윕 구간 전반에서도 2~3자릿수(orders of magnitude) 수준으로 유지됩니다. 저희가 아는 한, 이러한 결과를 재현할 수 있는 다른 GaN-on-silicon 기판은 없습니다. 마찬가지로 중요하게도, 이 결과는 고급 트랩-리치(trap-rich) RFSOI의 선형성과 손실 수치에 근접하며, RFSOI는 RF 설계자들이 이런 수준의 성능이 필요할 때 통상 선택하는 기술입니다. 인포시스(Infosys)의 파트너들도 자체 보유한 세계적 수준의 베이스라인을 바탕으로 이러한 이점을 독립적으로 확인했는데, 이는 고객들이 높이 평가하는 제3자 검증과 정확히 일치합니다. 저희 GaN-on-silicon 시험 결과에 대한 자세한 내용은 웹사이트에 게시된 백서를 참고해 주시기 바랍니다. 6월에는 이 데이터를 국제 마이크로파 심포지엄(IMS, International Microwave Symposium)에 가져갔고, 결과는 대단히 훌륭했습니다.

저희 발표는 전시장 현장에서 큰 호응을 얻었고, 그 직접적인 결과로 현재 여러 신규 잠재 고객들과 함께 그들의 자체 설계에서 MST GaN-on-silicon을 평가하기 위한 협업을 진행하고 있습니다. 이것이 전략적으로 중요한 이유는 다음과 같습니다. 저희 GaN-on-silicon 성능이 이제 RFSOI급 성능에 근접하고 있지만, 저비용 실리콘 기판 위에서 구현되며, 또한 GaN이 제공하는 본질적인 전력 및 주파수 측면의 여유(headroom)까지 갖추고 있기 때문에, 전통적으로 RFSOI로 설계하던 일부 설계가 GaN-on-silicon으로 전환될 수 있다고 저희는 보고 있습니다. 이는 RF 프런트엔드 설계가 구현되는 방식에 의미 있는 변화를 가져올 수 있으며, MST의 성능이 그 변화를 촉발하는 촉매가 될 가능성이 큽니다.

새로운 RF 설계 활동이 실리콘 기반 GaN으로 이동하기 시작한다면, 아토메라(Atomera)는 새로운 고성장 시장의 출발점에 자리하게 될 것이며, 이 변화의 양쪽 측면에서 MST가 핵심 구현 기술(enabler)이라는 점을 강조할 필요가 있습니다. 고객이 어떤 경로를 선택하든, 아토메라는 수혜를 받습니다. 정리하면, 저희는 핵심 게이트-올-어라운드(Gate-All-Around) 마일스톤을 달성했고, DRAM을 위한 차세대 가치 제안을 새로 확립했으며, NAND로 메모리 영역에서 새로운 전선을 열었고, 파워 및 RFSOI 전반에서 파이프라인을 지속적으로 진척시켰습니다. 또한 GaN 돌파구를 확실한 RF 성능 데이터, 업계의 실질적 열기, 그리고 완전히 새로운 RF 시장을 싹틔울 잠재력이 있는 신규 고객으로 연결해 냈습니다. 지금은 아토메라에 있어 매우 고무적인 시기입니다. 이제 CFO인 프랭크 로렌시오(Frank Laurencio)에게 말씀을 넘겨 재무 현황을 검토하도록 하겠습니다.

감사합니다, 스콧. 오늘 장 마감 후 저희는 2026년 2분기 실적을 발표하는 보도자료를 배포했습니다. 이 슬라이드는 저희의 요약 재무 수치를 보여줍니다. 2분기 매출은 15만 8,000달러였으며, 이는 고객에게 웨이퍼를 납품한 데 따른 수수료로 구성되어 있고, 주로 저희의 대형 IDM 고객에서 발생했습니다. 2026년 2분기 GAAP 기준 순손실은 630만 달러, 주당 0.17달러였으며, 2025년 2분기 순손실 500만 달러(주당 0.17달러)와 비교됩니다. 비(非)GAAP 기준으로 2분기 손실은 500만 달러였으며, 2025년 2분기 손실 400만 달러와 비교됩니다. 2026년 2분기 GAAP 기준 영업비용은 690만 달러로, 2025년 2분기 520만 달러에서 약 170만 달러 증가했습니다.